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日韓DRAM微細化競争激化、エルピーダ7月から25nm量産、サムスン8月末から20nm級量産するかも



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日本と韓国のDRAMをめぐる微細化競争が激しくなっています。

5/2に日本のエルピーダは世界初となる25nmプロセスのDRAMを開発、量産開始を2011年7月と発表しました
世界に先駆け、25nmプロセスDRAMを開発 | ニュースルーム | エルピーダメモリ

これに対して今まで微細化で先行していたサムスン電子を要する韓国が反応しています
韓国メディアではエルピーダの25nmロセスDRAMを「疑わしい」と報道。
理由としてエルピーダは今年第1四半期に量産すると明らかにしていた30nmのDRAMを未だに量産できていないことや40nm級のDRAM量産が円満に行われていないため、エルピーダの発表は資金調達を有利にするための戦略と報じています。

さらに韓国メディアは業界関係者の話としてサムスンが20nm級DRAMの開発を完了させ、早ければ8月末に量産に入ると報じています。


ちなみにサムスンの20nm”級”とは20nm~29nmの範囲なのでエルピーダの25nmより微細化されるかは不明なところです。さらに補足すると韓国メディアはエルピーダが「30nmのDRAMを未だに量産できていない」としていますがエルピーダの発表によるとエルピーダの30nmの割合は2011年4-6月期に生産能力の20%、7-9月期に生産能力の30%を予定、台湾子会社のレックスチップでは四半期中に生産能力の50%、10-12月期には100%のプロセス移行を計画していると発表しています

最先端30nmプロセスDRAMの本格量産を開始 | ニュースルーム | エルピーダメモリ
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